一种激光电池阵列芯片

本发明公开了一种激光电池阵列芯片，包括衬底，以及位于衬底一侧表面的激光电池阵列和电极连接部；激光电池阵列包括至少两个电池单元，各电池单元包括自下而上依次层叠的第一结子电池层、第二结子电池层和第三结子电池层；激光电池阵列芯片的工作波长为850nm‑1200nm，第一结子电池层、第二结子电池层和第三结子电池层均包括自下而上依次层叠设置的渐变缓冲层、光学间隔层、透明层、基层、发射层、窗口层、接触层和栅极。利用上述结构，相较于二结子电池层，提高了芯片的能量转换效率和单位能量的输出密度，降低了芯片的激光热效应。