一种外延分区集成的射频前端芯片及其制作方法

本申请涉及半导体芯片衬底材料及制造领域，公开了一种外延分区集成的射频前端芯片及其制作方法，其中，所述射频前端芯片包括衬底层、缓冲层和外延层，外延层包括多个外延分区，射频前端芯片至少集成有功率放大器、低噪声放大器、射频开关和压电滤波器，缓冲层设于衬底层之上，外延层设于缓冲层之上，各个外延分区任意排列于外延层，外延分区的下表面与缓冲层的上表面相接；功率放大器、低噪声放大器、压电滤波器分别位于不同的外延分区，低噪声放大器与射频开关位于相同的外延分区，并且功率放大器、低噪声放大器和压电滤波器各自所处的外延分区的材料不同。本申请一个或多个实施方式提供的技术方案，可以实现射频前端芯片的高度集成。