一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器，包括InP增益芯片光波导，其左端面镀有光学高反射膜，右端面镀有第一光学增透膜；还包括铌酸锂波导，所述铌酸锂波导的左端面镀有第二光学增透膜，右端面镀有第三光学增透膜；所述铌酸锂波导上端面设置有铌酸锂薄膜布拉格光栅波导，所述铌酸锂薄膜布拉格光栅波导下方设置有SiO2层，所述SiO2层下方设置有Si衬底；所述InP增益芯片光波导的右端面与所述铌酸锂波导的左端面对准贴合，形成外腔结构；所述铌酸锂波导的上端面还设置有电压控制单元。本发明通过1‑3cm超长光栅和模式匹配优化，实现0.8kHz线宽、50nm调谐范围及M²＜1.2的光束质量，器件响应速度μs级的优势。