一种基于残差图神经网络的光学邻近效应校正方法与系统

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一种基于残差图神经网络的光学邻近效应校正方法与系统
申请号:CN202510470271
申请日期:2025-04-15
公开号:CN120315238A
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了基于残差图神经网络的光学邻近效应校正方法与系统,通过将掩模表示为图结构数据并采用与基于模型的OPC(model‑based OPC,简称MBOPC)迭代过程具有相似结构的ResGNN,构建了一种快速的MBOPC计算方法。作为数据驱动方法,与基于迭代的MBOPC方法相比,本发明提供的方法可以显著提高计算效率。同时,该ResGNN模型的结构使其既可以更好地体现MBOPC的迭代过程的物理特性,又可以应对图神经网络层数增加时出现的梯度消失问题,最终实现对训练数据更好的拟合。本发明可以提升MBOPC过程的计算效率,提升先进节点下光刻生产的生产效率。
技术关键词
光学邻近效应 节点特征 切片 数据建模方法 光刻胶模型 神经网络优化器 校正系统 多层感知机 边缘轮廓 切割掩模 掩模版图 掩模图形 投影物镜 奇异值分解方法
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