摘要
本发明公开了一种采用交流小信号测试提取MOSFET热阻和热容特性的方法,为基于交流小信号测试,并且无需标定特征频率的提取器件热阻和热容的方法。在本发明中,根据器件的直流输出特性和交流小信号Y参数获取MOSFET的热阻和热容特性。热阻抗提取过程中使用的基本数据为不同环境温度下的漏极电流‑漏极电压数据和不同频率下的交流小信号电导及电容数据,这些测试数据是晶体管建模过程中的常规测试数据,因此不需要借助如红外热成像仪器等附加测试设备且不需要获得热特征频率。采用本方法提取得到的热阻和热容特性参数,可精确用于半导体器件热特性建模,进而评估自热效应及不同功率水平下晶体管结温变化,从而得以从器件中剥离自热效应的影响。
技术关键词
电容
等效电路模型
红外热成像仪
信号
参数
频率
曲线
热阻抗
晶体管
代表
电压
栅极
半导体器件
电流
测试设备
热传递
结温
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