微型场效应芯片、多离子检测的场效应芯片及制备方法

本发明涉及一种微型场效应芯片、多离子检测的场效应芯片及制备方法，所述微型场效应芯片包括绝缘基底层和层叠设置在所述绝缘基底层的表面上的传感器组件，所述传感器组件包括阵列排布在所述绝缘基底层的表面上的若干传感器元件；单个所述传感器元件包括设置在所述绝缘基底层表面上的石墨烯沟道层和金属接触层、以及覆盖在所述金属接触层上的顶部封装层，所述金属接触层包括源极和漏极，所述源极和漏极分别设置在所述石墨烯沟道层的表面上的两端边缘处；所述石墨烯沟道层中的暴露区域在所述水平方向上的尺寸为微米级别。本发明提供的微型场效应芯片，提高芯片的空间分辨率，实现微区离子的检测，提高芯片的高精度化。