一种内嵌高精度时钟晶体层叠结构的芯片及其封装工艺

本发明公开一种内嵌高精度时钟晶体层叠结构的芯片及其封装工艺，涉及芯片封装技术领域，包括：步骤一、芯片框架制备与第一封装芯片与第二封装芯片的集成；步骤二、低温等离子体TSV填充；步骤三、自对准激光键合；步骤四、纳米屏蔽与封装，在所述步骤一中，首先对第二封装芯片进行激光切割形成缺角，随后通过湿法蚀刻形成45±5微米的腔体，在缺角侧预留对位标记，并对缺角进行倒角抛光；制作电极，由金制成电极焊线，其中缺角位置要避开电极；在腔体侧壁与缺角边缘沉积氧化铝层；硅阵子预切割与上述缺角相对应的缺口。本发明实现高效集成的空间利用度，防止芯片在芯片框架的内部占用过大面积。