一种用于存储器阵列的快速老化测试方法及装置

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一种用于存储器阵列的快速老化测试方法及装置
申请号:CN202510479696
申请日期:2025-04-17
公开号:CN119993246B
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于存储器阵列的快速老化测试方法及装置,涉及存储器阵列测试技术领域。包括在读写操作过程中,对存储器阵列中每个存储单元的瞬时电流波形进行捕获,并从中提取出电流特征,利用所提取的电流特征构建差异矩阵,进而动态标记超出阈值的存储单元。本发明通过分析存储单元在瞬时电流波形捕获前后存储数据量的差异,评估存储单元容量的衰退状况,并结合容量衰退数据作为辅助评估指标,与存储单元老化速率相结合,实现了在不对储存器阵列施加外部影响条件的情况下完成存储单元老化程度的综合评估,不仅提升了老化测试的精确性,而且能够有效辨识存储单元间的老化差异,确保关键存储单元获得及时的处理与维护。
技术关键词
存储器阵列 老化测试方法 轨迹模型 电流 波形 下存储单元 采样电路 时间段 特征提取模块 矩阵 标记 存储阵列 特征值 老化测试装置 储存单元 速率 可调电阻 偏差
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