可通过蓝光激发的高熵氧化物红光荧光材料及其制备方法

本发明公开了一种可通过蓝光激发的高熵氧化物红光荧光材料及其制备方法，其化学式为La1‑xEux(V0.2Nb0.2Ta0.2Mo0.2Si0.2)O4，其中0<x<0.12；所述高熵氧化物荧光材料以Eu3+为激活剂、以La(V0.2Nb0.2Ta0.2Mo0.2Si0.2)O4为基质，通过Eu3+替代La3+离子掺杂得到。本发明通过465nm蓝光激发，发红光的量子产额高达79.33％；由于采用InGaN半导体技术制备465nm蓝光芯片的工艺成熟，并且已经量产，因此，基于蓝光激发Eu3+离子发射红光的发光、显示器件的成本，要比基于紫外光芯片激发的红光器件的成本要低得多。本发明的高熵氧化物红光荧光材料制备工艺简单，还具备适于大规模生产的优势。