一种浮点数指数最大值寻找电路及存内计算芯片

本发明公开了一种浮点数指数最大值寻找电路及存内计算芯片。该寻找电路包括：SRAM单元矩阵：包括多行多列的SRAM单元，每个单元包括NMOS管N1～N5和PMOS管P1、P2；N1、N2、P1、P2反相交叉耦合形成一对存储节点Q和QB；N5的栅极连接节点QB；第i行的N3的栅极连接字线WLL<i>，N4栅极连接字线WLR<i>；每列N5的漏极与下一列的N5的源极串联，首列N5的源极连接信号SEL<i>，末列的N5漏极连接信号PRE；第j列中，N3为对应的节点Q与位线BL<j>的传输管，N4为对应的节点QB与位线BLB<j>的传输管。本发明节约了寻找的周期数、缩短了计算时间，减少后续的计算量，提高效率，降低了功耗，解决了现有电路存在较高的功耗、复杂的硬件实现以及较长的计算延迟等缺陷。