一种基于含光子晶体结构的波导集成光学芯片的分区域氧化层释放方法

本发明公开一种基于含光子晶体结构的波导集成光学芯片的分区域氧化层释放方法，应用于微纳加工技术领域，针对含光子晶体结构的光基集成芯片的传输区域在功能区域氧化释放过程中的保护问题；本发明方法包括在晶圆上①接触式光刻和刻蚀形成空腔释放层；②旋涂，固化光刻胶并曝光需释放氧化层的区域；③HF气体释放固定时间后，重新固化光刻胶；④重复③直至氧化层释放完全。很好地解决了含光子晶体结构的波导集成光学芯片的分区域氧化层释放需求。