一种大功率C Band SOA的制备方法

本发明涉及一种大功率C Band SOA的制备方法，属于芯片制备领域。所述方法，通过使用压应变量子阱和张应变垒的有源区材料，采用渐变式的波导结构，获得高饱和输出功率的SOA芯片。本发明通过使用压应变量子阱和张应变垒的有源区材料，采用渐变式的小角度taper RWG波导结构，来获得高饱和输出功率的SOA芯片(17dBm@500mA，19dBm@750mA)，并且保证了70%的光斑椭圆度及2dB范围内的耦合损耗。