全固态离子选择性传感芯片的制备与应用

本发明公开了一种全固态离子选择性传感芯片的制备方法及其应用，通过多金属活性位点调控策略，开发了基于富含微/纳结构的Co‑LDH衍生3d过渡金属钴硫化物(X‑Co3S4，X＝Mn、Fe、Co、Ni和Cu)的离子‑电子转导界面，并构建了基于疏水Cu‑Co3S4转导的高稳定全固态环境水质硬度芯片。提出了一种可拓展的批量化定制传感芯片的工艺，通过精密模具设计与压片成型技术实现了传感芯片的可规模化制造。基于Cu‑Co3S4的可规模化定制传感芯片具有高的界面电容(568μF)和超低电位漂移(在36h内漂移为1.76±0.01μV·s‑1)，表现出对于Ca2+和Mg2+良好的检测性能。