一种氮化物全彩集成微型发光二极管显示芯片及其制备方法

本发明公开了一种氮化物全彩集成微型发光二极管显示芯片及其制备方法，在硅衬底表面形成柱状或梯台状的台面，然后在硅衬底台面上依次外延AlN缓冲层、AlGaN应力调制层、n型GaN层、InGaN/GaN复合量子阱层和p型导电层，形成微型发光二极管台面；通过台面侧壁的应力释放和AlGaN层的应力调制，在n型GaN层中形成自台面中心至外圈逐渐降低的张应力分布，从而调控InGaN/GaN复合量子阱层中的铟组分分布，形成覆盖红、绿、蓝三基色波段的微型发光二极管台面。本发明公开的芯片结构集成了红、绿、蓝三基色子像素，降低了全彩微型发光二极管显示芯片巨量转移工艺的难度。本发明只需实施一次外延工艺即可完成红、绿、蓝三基色子像素的制备，简化了工艺流程。