毫米波氮化镓多合体功率放大器一体化集成贴片天线芯片

本发明公开一种毫米波多合体功率放大器一体化集成贴片天线的氮化镓芯片，属于单片集成电路领域。该芯片采用氮化镓半导体工艺，在氮化镓芯片上实现多合体功率放大器与微带贴片结构天线的级联组合。多合体功率放大器为单级两路对称结构，微带贴片结构天线通过弯曲辐射边的方式调整其谐振频率，并且采用馈点两侧开槽的方式调整其输入阻抗，以实现多合体功率放大器的有源负载提升输出功率和效率。本发明能够应对传统分立器件架构面临的集成度低的挑战，有效降低信号传输损耗，提升系统效率，同时高功率密度的氮化镓半导体工艺，可以实现更高的输出功率和系统效率。本发明适用于毫米波的无线通信设备，可广泛应用于高集成度芯片电路设计和通信系统中。