新型微凸点结构成型方法及倒装芯片键合方法

本发明公开一种新型微凸点结构成型方法，通过在半导体基底上依次成型种子层、光刻胶层，然后在光刻胶层上对应于需制作微凸点的位置形成开口区域，接着在所述开口区域内生长至少一层金属导电层，再去除光刻胶层以及其下方的种子层，从而得到微凸点。区别于现有的微凸点制作工艺，本申请中的成型方法在成型微凸点后直到执行倒装芯片键合之前，都不再执行回流工艺，从而形成表面呈平面结构的微凸点，能够使倒装芯片键合过程中微凸点之间的对齐难度降低、对准精度提高、电气连接性能提高，而且还降低工艺成本和设备成本。本发明还公开一种使用了通过所述新型微凸点结构成型方法制得微凸点的芯片或/和转接板的倒装芯片键合方法。