DRAM系统可支持最大时延的计算方法、装置及设备

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DRAM系统可支持最大时延的计算方法、装置及设备
申请号:CN202510508433
申请日期:2025-04-22
公开号:CN120012697B
公开日期:2025-08-19
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种DRAM系统可支持最大时延的计算方法、装置及设备,涉及存储技术领域,该方法包括搭建仿真环境,所述仿真环境的仿真电路包括RDL模型、IBIS IO模型和DFE模型;设置ODT参数以基于搭建的仿真环境对两个Rank进行独立仿真,获得DQ、DMI时域波形;基于WCK Trigger的方式处理DQ、DMI时域波形并生成眼图,根据所述眼图,计算得到Timing Margin和最大tWCK2CK_Rank2Rank。本申请能够实现最大时延的准确计算。
技术关键词
DRAM系统 生成眼图 仿真环境 波形 计算方法 时延 DRAM芯片 输出缓冲器 电平 高频传输 参数 搭建模块 存储技术 周期 封装结构 处理器 电路 切片 传输线 存储器
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