高亮度荧光粉及其制备方法、LED器件

本发明涉及LED封装技术领域，尤其涉及一种高亮度荧光粉及其制备方法、LED器件。其中，高亮度荧光粉的制备方法包括：(1)将YAG：Ce荧光粉置于PECVD腔室中；其中，所述YAG：Ce荧光粉的粒径为1～60μm；且其粒径符合下述关系式：D50A：D50B≥0.75；其中，D50A为YAG：Ce荧光粉在第一分散压力下的体积平均粒径，D50B为YAG：Ce荧光粉在第二分散压力下的体积平均粒径；第一分散压力大于第二分散压力；(2)在所述YAG：Ce荧光粉的表面沉积SiO2膜，即得到高亮度荧光粉。实施本发明，可在YAG：Ce荧光粉表面形成具有降低反射作用的SiO2膜，有效提升LED器件的发光亮度、亮度均匀性以及色温均匀性。