一种低金属腐蚀的弱酸性钨CMP后清洗剂及制备方法与应用

本发明涉及一种低金属腐蚀的弱酸性钨CMP后清洗剂及制备方法与应用。所述低金属腐蚀的弱酸性钨CMP后清洗剂，按照重量份计算包括如下组分：功能剂5‑30份；复合添加剂5‑25份；pH调节剂0.5‑15份；超纯水70‑95份；功能剂为羟基黄酮衍生物类化合物；复合添加剂包括三嗪环类化合物和含磷的脲基化合物。本发明提供的清洗剂能够有效清除晶圆表面残留的金属污染物，尤其是钨碎屑，及表面的钨氧化物和游离的钨离子，在进行钨CMP后清洗时能够有效改善半导体晶圆表面缺陷的产生，且本发明提供的清洗剂在无需超声波工艺配合清洗的纯浸泡工艺条件下，仍能保持极为优异的清洗效率。