基于类扩张双层网络硅基集成光子计算芯片构建方法

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基于类扩张双层网络硅基集成光子计算芯片构建方法
申请号:CN202510529167
申请日期:2025-04-25
公开号:CN120215028A
公开日期:2025-06-27
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光子计算芯片构建方法,更具体的说是基于类扩张双层网络硅基集成光子计算芯片构建方法,包括以下步骤,步骤一、基于Benes网络的8×8可重构MZI阵列的形成:调整Benes网络阵列中MZI的状态,重新分配光信号的传输路径,从而生成2×4的非负矩阵和2×2的实值矩阵,输入数据xi通过相应端口输入到MZI阵列中,确保光信号能够到达特定的2×2SDDLN结构,随后调整分光系数步骤二、基于Benes网络的8×8可重构MZI阵列采用标准CMOS工艺形成在具有顶层硅的SOI晶圆上,热电阻位于硅层上方。基于MZI阵列的传输拓扑结构,每个MZI单元仅需一个相移器,具有低光路损耗,能实现任意非负和实数矩阵,与常见的三角形和矩形网络相比,SDDLN在光学路径损耗和相移器数量上显著减少,且具有更强的扩展性。
技术关键词
拓扑网络结构 矩阵 二氧化硅 顶层硅厚度 硬掩膜 CMOS工艺 芯片 交叉波导 阵列 相移器 涂覆光刻胶 光信号 金属走线 分束器 光电探测器 光刻技术 光栅 上沉积
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