一种LED芯片及其制作方法

本申请公开了一种LED芯片及其制作方法，该制作方法包括：在衬底一侧形成N型层，N型层包括层叠的第一组成层、第二组成层和第三组成层，第一组成层为N型掺杂的GaN层，第二组成层为非掺杂的AlGaN层，第三组成层包括非掺杂的AlGaN层与N型掺杂的GaN层组成的超晶格层；在N型层远离所述衬底一侧形成量子阱有源层；在量子阱有源层远离N型层一侧形成P型层。该LED芯片及其制作方法可以通过在第二组成层中，利用Al原子替位作用带来的晶格失配致使位错发生弯曲，以使得N型层中的缺陷在此界面处减少或湮灭，从而到达屏蔽位错作用，提高N型层的生长质量，提高N型层的抗静电能力，最终提高LED芯片的抗静电能力和可靠性。