一种VCSEL芯片的制备方法及VCSEL芯片

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体地，涉及一种VCSEL芯片的制备方法及VCSEL芯片。所述制备方法步骤包括：制作外延片，通过外延生长技术获得所需的外延片；制备掩膜，将光刻胶在基板上制作出相应的图案，获得包括第一掩膜和第二掩膜；通过蚀刻的方式将所述第一掩膜上的图案蚀刻到外延片上，获得第一台面；获得第一台面后的VCSEL放入湿法氧化设备中进行氧化；通过蚀刻的方式将所述第二掩膜上的图案蚀刻到VCSEL上，获得第二台面；VCSEL通过蒸镀设置N型电极，通过溅射设置P型电极及P/N欧姆接触。实施例，通过掩膜上的图案结构，将图案蚀刻得到所述P型DBR层，从而获得阶梯结构，使得减小VCSEL的整体的等效电阻，同时提高了散热性，提高芯片的热稳定性和高速调制性能。