一种三维光波导玻璃芯片的制造方法

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正文
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一种三维光波导玻璃芯片的制造方法
申请号:CN202510543301
申请日期:2025-04-28
公开号:CN120085415B
公开日期:2025-08-05
类型:发明专利
摘要
发明涉及集成光波导制备技术领域,尤其涉及一种三维光波导玻璃芯片的制造方法,包括:通过离子交换工艺在玻璃芯片晶圆表面形成光波导的二维结构;利用矩阵电极芯片晶圆对处理后的玻璃芯片晶圆表面的光波导进行深度可控的波导掩埋,最终得到三维光波导玻璃芯片;其中,矩阵电极芯片中的电极可为一维矩阵电极和/或二维矩阵电极,具体可根据需要掩埋的光波导阵列深度分布是否一致,设计合适的矩阵电极芯片结构。本发明采用矩阵电极的方法调控电场,对二维光波导玻璃芯片晶圆中的光波导进行深度差异可控掩埋,从而实现三维光波导玻璃芯片的制造。本发明的制造方法,具有适用范围广,生产成本低,制造精度高等优点。
技术关键词
电极芯片 光波导 晶圆 玻璃 离子交换工艺 矩阵 绝缘座 六甲基二硅胺烷 前烘工艺 光刻图案 混合盐 熔融盐 调控电场 离子源 波导阵列 光刻胶 基底
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