双金属布拉格光栅相位差调控实现窄线宽的外腔激光器

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为双金属布拉格光栅相位差调控实现窄线宽的外腔激光器，调控实现窄线宽的外腔激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜，所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜；所述增益芯片右侧设置有金属布拉格光栅波导，所述增益芯片的右端面与所述金属布拉格光栅波导的左端面对准贴合形成外腔结构，所述金属布拉格光栅波导左端面镀设有第二增透AR膜，所述金属布拉格光栅波导右端面镀设有第三增透AR膜。经过测试，本发明利用干涉增强效应和模式抑制机制，使边模抑制比（SMSR）提升至65dB，线宽压缩至0.6kHz。