一种耐热冲击的热电堆芯片

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一种耐热冲击的热电堆芯片
申请号:CN202510291650
申请日期:2025-03-12
公开号:CN120129448A
公开日期:2025-06-10
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体芯片领域,公开了一种耐热冲击的热电堆芯片,包括热端芯片、冷端芯片,冷、热端芯片均包括芯片基底,芯片基底表面设有空腔结构、绝缘层,绝缘层与空腔结构相对的区域设为悬空梁膜结构,悬空薄膜与绝缘层通过悬空梁连接,悬空薄膜的周向、绝缘层在悬空薄膜的周向间隔设有若干热偶条,绝缘层在热偶条围成区域外围设有键合层,冷、热端芯片通过键合层密封连接;热端芯片悬空薄膜设有红外吸收层;沿悬空薄膜厚度方向,在悬空薄膜周向,冷、热端芯片悬空薄膜上的热偶条交替分布,热端芯片和冷端芯片上的热偶条串联,以使热端芯片和冷端芯片组成热电堆芯片;悬空梁膜上的热偶条采用第一、第二类热偶条交替设置的形式。
技术关键词
热电堆 梁膜结构 中间层 光子晶体薄膜 P型单晶硅 二氧化硅薄膜 N型多晶硅 氧化铝薄膜 氮化硅薄膜 Au薄膜 空腔 黑硅层 基底 复合膜层 电极 红外光 半导体芯片
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