摘要
本发明属于半导体芯片领域,公开了一种耐热冲击的热电堆芯片,包括热端芯片、冷端芯片,冷、热端芯片均包括芯片基底,芯片基底表面设有空腔结构、绝缘层,绝缘层与空腔结构相对的区域设为悬空梁膜结构,悬空薄膜与绝缘层通过悬空梁连接,悬空薄膜的周向、绝缘层在悬空薄膜的周向间隔设有若干热偶条,绝缘层在热偶条围成区域外围设有键合层,冷、热端芯片通过键合层密封连接;热端芯片悬空薄膜设有红外吸收层;沿悬空薄膜厚度方向,在悬空薄膜周向,冷、热端芯片悬空薄膜上的热偶条交替分布,热端芯片和冷端芯片上的热偶条串联,以使热端芯片和冷端芯片组成热电堆芯片;悬空梁膜上的热偶条采用第一、第二类热偶条交替设置的形式。
技术关键词
热电堆
梁膜结构
中间层
光子晶体薄膜
P型单晶硅
二氧化硅薄膜
N型多晶硅
氧化铝薄膜
氮化硅薄膜
Au薄膜
空腔
黑硅层
基底
复合膜层
电极
红外光
半导体芯片
系统为您推荐了相关专利信息
IPD滤波器
电感
接地金属板
微带线
滤波器芯片
人工神经网络
控制液压系统
额定值
控制单元
计算机