基于标准化流的半导体器件多参数联合分布建模方法

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基于标准化流的半导体器件多参数联合分布建模方法
申请号:CN202510552472
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120471008A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种基于标准化流的半导体器件多参数联合分布建模方法,包括:S1:从半导体器件仿真数据中提取多种关键模型参数;S2:基于所述多种关键模型参数构建包含多个模型卡的原始模型库;S3:基于所述原始模型库对模型参数进行处理以构建训练数据集;S4:构建标准化流模型;以及S5:基于所构建的训练数据对标准化流模型进行训练生成得到包括大规模模型卡的完备模型库,完成半导体器件多参数联合分布建模。
技术关键词
建模方法 多参数 半导体器件仿真 模型库 电路稳定性分析 优化网络参数 估计方法 传播算法 样条 数据 优化器 样本 序列 动态 框架 基础
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