集成TSV和反相器的三维芯片结构及布局方法、芯片

本发明提供了一种集成TSV和反相器的三维芯片结构及布局方法、芯片，所述布局方法包括：提供具有硅通孔的硅衬底，获取硅衬底在热负载参数下的应力分布；建立纳米环栅晶体管模型，依次在硅通孔周围的硅衬底上设置若干N型及P型纳米环栅晶体管，分别获得各电学特性；根据预设电学特性范围及电学特性，获得符合N型纳米环栅晶体管的第一区及符合P型纳米环栅晶体管的第二区；建立反相器模型，在硅通孔周围的硅衬底上设置若干反相器，获得各反相器的直流特性；根据预设直流特性范围及直流特性，获得第三区；获得第一区、第二区及第三区的交集作为硅衬底上布置反相器的区域。本发明可提高三维集成电路的性能。