一种抑制GaN器件桥臂串扰的三电平有源驱动电路设计方法

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一种抑制GaN器件桥臂串扰的三电平有源驱动电路设计方法
申请号:CN202510555333
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120415099A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本发明属于电机驱动或电力电子变换中氮化镓(GaN)功率器件的驱动电路领域,公开了一种抑制GaN器件桥臂串扰的三电平有源驱动电路设计方法,所述方法包括:电路连接在桥式拓扑结构中,桥式拓扑结构包含结构相同的上桥臂与下桥臂;上桥臂和下桥臂均分为两部分,即传统驱动电路与辅助电路,辅助电路又分为负压自恢复电路和串扰抑制电路。本发明利用电荷泵和辅助GaN器件输出与反向导通特性,构成负压自恢复电路和串扰抑制电路。结合两者优势,有效地克服了传统方法的缺陷,该方法在几乎不影响开通速度,不额外增加反向导通损耗的同时,加快关断速度,降低关断损耗,降低正负向串扰。整体设计灵活,高效可靠。
技术关键词
驱动芯片 GaN器件 驱动电路设计方法 桥式拓扑结构 恢复电路 肖特基二极管 串扰抑制电路 GaN功率器件 辅助电路 关断 接地端 栅极 电荷泵 端口 电阻 电容 电压 电平
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