基于底层三维结构可见的OPC模型的光刻图形预测方法

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基于底层三维结构可见的OPC模型的光刻图形预测方法
申请号:CN202510555890
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120315239A
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种基于底层三维结构可见的OPC模型的光刻图形预测方法,方法包括:获取具有目标光刻胶的目标晶圆的不包含底层效应的第一wafer数据、光刻工艺参数、光罩数据、底层三维数据和底层材料光学性质参数;基于光学成像算法结合光刻工艺参数和光罩数据计算目标光刻胶内部的第一光强分布信息;基于第一wafer数据和第一光强分布信息构建二维OPC模型;基于光线追踪算法、底层三维数据、底层材料光学性质参数、二维OPC模型构建三维OPC模型;利用三维OPC模型预测满足光罩需求的目标光刻图形。本申请基于光线追踪算法构建出晶圆底层可视化的三维OPC模型,考虑到光刻图形的底层结构影响,提升光刻图形的预测精度。
技术关键词
OPC模型 光刻图形 光线追踪算法 三维结构 梯度下降算法 光罩 光强 光刻工艺 遗传算法 光刻胶 数据获取单元 预测装置 参数 计算机可执行指令 光学成像 效应 误差 软件 可读存储介质
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