一种大气环境热中子软错误率的评估方法

本申请涉及半导体器件可靠性评估技术领域，公开了一种大气环境热中子软错误率的评估方法，包括：芯片微观结构反向分析、蒙特卡罗模拟、加速器试验和LET谱关联与误差率计算。本申请的大气环境热中子软错误率的评估方法，通过蒙特卡罗模拟生成大气环境下与地面加速器环境下的LET谱，并以芯片临界线性能量传递值为关联因子，通过所述大气环境下的与地面加速器环境下的LET谱的重叠比例，结合加速器试验中的试验数据，获取实际大气环境下的软错误率，避免了因LET谱差异导致较大误差，提高实际大气环境下的软错误的准确性，为芯片抗辐射设计提供了可量化、可验证的评估技术。