去除TSV影响的HEMT振荡器结构及其构建方法

本申请提供了一种去除TSV影响的HEMT振荡器结构及其构建方法。去除TSV影响的HEMT振荡器结构包括：HEMT，其源极连接TSV结构；第一传输线，其与HEMT的源极电连接；第二传输线，其经第一电容分别与HEMT的栅极及电阻电连接；第一输出段匹配电路，其连接于HEMT的漏极和第三电容之间；第二输出段匹配电路，其连接于HEMT的漏极和第二电容之间；电阻、第一输出段匹配电路还分别接栅极电压、漏极电压，用于为HEMT提供直流偏置电压。本申请通过明确HEMT源极寄生参数的准确来源，并将等效电路模型提取与全波仿真相结合，准确描述和提取出VCO中从源极电极到接地过孔过程中各个结构引入的寄生参数，提高了后续设计过程中的仿真精度。