一种提高声学传感器结构的制作方法及其结构

本发明提供一种提高声学传感器结构，它包括，在第一SOI硅片（2）的器件层（21）上设有第一槽体（213）、第二槽体（219），在第二槽体（219）内设有下电极（211），在第一槽体（213）内设有连通相邻下电极（211）的硅导线（212），在第一SOI硅片（2）上键合有第二SOI硅片（1）。本发明具有结构简单、布置合理，制备工艺步骤简单、温度系数好，换能器收发性能好等优点。