一种6英寸衬底的自然光芯片及其制备方法

本发明属于半导体光电器件技术领域，具体涉及一种6英寸衬底的自然光芯片及其制备方法，由衬底、p型层、穿通阻挡层、n型层、热膨胀改善层再加上电极层组成，其中电极可在芯片的同侧也可以不在芯片的同侧，本发明涉及解决自然光芯片的6英寸外延生长和器件加工，尤其针对解决晶片翘曲，提升产品良率的方案，通过加入控制升降温速率、增加针对本芯片特有的材料等离子辅助处理、增加应力释放层等方案，解决了本自然光芯片在大尺寸下存在晶片翘曲现象，并进一步提升了芯片的红光发射，通过本专利的应用，可大大提升自然光芯片的产能，极大地促进了其产业化进程。