一种金刚石单晶异质外延生长智能偏压调控方法及其系统

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一种金刚石单晶异质外延生长智能偏压调控方法及其系统
申请号:CN202510570428
申请日期:2025-05-06
公开号:CN120082964B
公开日期:2025-07-22
类型:发明专利
摘要
本发明涉及金刚石外延生长技术领域,且公开了一种金刚石单晶异质外延生长智能偏压调控方法及其系统,包括数据采集模块、预测模块、智能优化模块、梯度场补偿模块以及反馈与调控模块;通过采用预测模型对未来趋势进行预判,能够提前感知潜在的生长异常例如某区域成核概率降低,使控制系统具有前瞻性,避免了事后被动补偿的滞后;强化学习控制器在策略优化过程中综合考虑累积效应和长远目标,使得偏压调控更加智能;智能决策能力远远优于人工经验或预设程序的调整方式,使生长过程对外界扰动如气流波动、放电状态变化等具备更强的鲁棒性;在整个生长过程中保持各区域晶核和生长速率的一致性,有利于抑制大尺寸薄膜中热应力和缺陷的累积。
技术关键词
等离子发射光谱仪 衬底边缘区域 金刚石 调控系统 调控方法 异质 数据采集模块 单晶 外延生长技术 波形 采集设备 学习控制器 强化学习算法 网络 调控模型 调控策略
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