摘要
本发明公开了一种芯片封装方法,涉及芯片封装领域,本方法基于现有的GS非对称结构,在已完成线路的玻璃基板表面首先制作TMV铜柱,铜柱完成后填充环氧塑封料EMC进行塑封molding,塑封molding完成后进行研磨grinding,研磨的第一个作用是漏出TMV铜柱便于后续线路导通,第二个作用是保证TMV上表面的整体平整度从而实现线路的整平。同时在TMV铜柱子的侧边埋入桥接芯片bridge die从而使得单位面积内可布线的信号通道数量大幅提升,由此提高了信号传输效率。
技术关键词
芯片封装方法
玻璃基板
镭射钻孔
线路
载体
光刻胶
电镀铜
植入锡球
种子层
通孔工艺
非对称结构
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