泵浦光调控硅波导量子系统边界拓扑性质并生成拓扑双光子态的方法

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泵浦光调控硅波导量子系统边界拓扑性质并生成拓扑双光子态的方法
申请号:CN202510586701
申请日期:2025-05-08
公开号:CN120255233A
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种泵浦光调控硅波导量子系统边界拓扑性质并生成拓扑双光子态的方法,结合硅波导材料的非线性以及硅波导空间结构的Su‑Schrieffer–Heeger(SSH)模型,通过调节输入硅波导芯片的泵浦光的强度实现对硅波导芯片上边界态的拓扑性质;通过将输入泵浦光强度提高到超过一定阈值,泵浦光输入位置的硅波导与其相邻硅波导之间的耦合会增强,使得输入位置处呈现出边界效应;通过设计系统边界为“长‑长”类型波导耦合,在“长‑长”边界中心波导处输入泵浦光,并调节泵浦光强度超过一定阈值,使得在波导芯片输出拓扑保护的双光子态。
技术关键词
波导 系统边界 Kerr效应 芯片 非线性 计算机存储介质 存储计算机程序 计算机程序产品 调节泵浦光 光强 处理器 存储器 设计系统 电子设备 空间结构 信号光 可读存储介质
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