具有精确控制晶圆硅厚减薄功能的堆叠键合芯片制造方法

本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种具有精确控制晶圆硅厚减薄功能的堆叠键合芯片制造方法，在进行晶圆堆叠键合之前包括：在晶圆的有源区制备工艺循环中的浅槽隔离物沉积时，先微量沉积红外线无法穿透的金属材料之后，再沉积绝缘介电层物质；一边测量所述浅槽隔离物的厚度和所述浅槽隔离物的外部硅层厚度，一边研磨所述浅槽隔离物，直到晶圆硅厚落入产品设计范围时，停止所述浅槽隔离物的蚀刻。利用本发明，仅通过对晶圆的结构进行一些优化就实现准确的硅厚度的测量和工艺控制。