高精度键合芯片制造方法及高精度键合芯片

本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种高精度键合芯片制造方法及高精度键合芯片。方法包括：将多个第一裸片与第二晶圆进行混合键合并完成退火处理，形成第一键合芯片组合体；以将裸片间缝隙填满且高度超过芯粒外表面的方式，从多个第一裸片一侧沉积第一氧化硅层；将所述第一键合芯片组合体上下翻转，从而使得第一裸片位于下方，第二晶圆位于上方；对第二晶圆的厚度减薄，并形成用于与外部高密度金属线互联的导电性硅通孔。利用本发明，仅通过现有工艺流程的优化就实现了最终堆叠芯粒的电学性能的改善。