摘要
本发明涉及一种纳米增强型铜制程CMP后清洗剂,按照重量份计算,包括如下组分:添加剂1‑10份;有机碱1‑10份;缓蚀剂1‑9份;超纯水75‑90份。本发明还公开上述清洗剂的制备方法与应用。本发明采用量子点类添加剂,其表面含有羟基和羧基会与污染物表面的极性基团形成氢键,实现物理吸附,同时羧基与Cu2+离子发生螯合反应,形成稳定的水溶性复合物,防止金属离子重新沉积到铜片表面,同时其高机械强度和致密性可以阻挡腐蚀性物质的接触,在铜片表面形成一层保护膜,减少清洗剂中化学物质对铜的腐蚀。缓蚀剂可以通过吸附成膜、静电排斥和包合作用,形成多重协同作用,显著提高缓蚀效率和保护膜性能。
技术关键词
清洗剂
超纯水
纳米
胺型树枝状聚合物
半导体芯片清洗
缓蚀剂
添加剂
水溶性量子点
ZnS量子点
保护膜
荧光
聚乙烯
铜片
氰尿酸
亚胺
去离子水
卟啉
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