负电荷泄放电路、芯片负电荷快速泄放方法及射频芯片

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负电荷泄放电路、芯片负电荷快速泄放方法及射频芯片
申请号:CN202510594556
申请日期:2025-05-08
公开号:CN120498434A
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种负电荷泄放电路、芯片负电荷快速泄放方法及射频芯片,该负电荷泄放电路包括泄放电路模块和控制信号模块;泄放电路模块包括第一PMOS管,第一PMOS管的源极接地,第一PMOS管的漏极与芯片的负压电位连接;控制信号模块的输入端用于接收使能信号,控制信号模块的输出端与第一PMOS管的栅极连接;控制信号模块用于根据接收的使能信号输出对应的控制信号,以控制第一PMOS管处于导通状态或截止状态;第一PMOS管用于在处于导通状态时,对芯片内部的负电荷进行泄放。本发明能够提高芯片内部负压的泄放速度,提高芯片在反复上下电启动中的可靠性。
技术关键词
泄放电路 PMOS管 负电荷 反相器 信号 模块 NMOS管 泄放方法 电容 输出端 射频芯片 二极管 输入端 栅极 射频开关芯片 电压 射频器件 阳极 电阻
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