一种用于电子徽章的低收缩率陶瓷胚体的制备方法及其应用

本发明属于陶瓷技术领域，具体涉及一种用于电子徽章的低收缩率陶瓷胚体的制备方法及其应用，所述陶瓷胚体的制备方法具体包括以下步骤：S1、将SiC晶须进行酸洗，将经过酸洗的SiC晶须浸入硅烷偶联剂溶液中，得到SiC晶须修饰体；S2、将SiC晶须修饰体转移至乙醇溶剂中，然后加入羟乙基纤维素，分散后进行超声处理，得到分散料；S3、将α‑Al2O3粉体、SiO2复合粉体、烧结助剂加入至球磨罐中，加入分散料、聚乙烯醇缩丁醛，球磨得到预处理浆料；S4、将预处理浆料放置模具中，加压得到陶瓷胚体。本发明通过材料体系设计与工艺的深度融合，制得的陶瓷胚体保证低收缩率，满足电子徽章对尺寸精度的严苛要求，避免因收缩导致芯片安装异常、挤压损坏等问题。