一种SiC MOSFET功率循环测试方法

本发明涉及半导体器件测试技术领域，具体涉及一种SiC MOSFET功率循环测试方法，包括以下步骤：S1、搭建复合环境测试平台配置动态测试参数，自动计算物理边界，并实时采集传感器数据；S2、基于所述物理边界与传感器数据建立有限元仿真模型，输出优化后的动态测试参数和仿真的应力分布图；S3、根据所述动态测试参数和应力分布图，同步施加复合应力，实时采集多维测试数据；本发明在使用时，通过动态边界计算与实时数据采集，有利于提升测试的智能化程度和可靠性，将测试周期缩短，提升失效预测准确率，适用于新能源、航空航天等领域SiC MOSFET器件的可靠性评估，通过虚拟仿真避免大量物理测试，有利于减少器件损耗与资源浪费。