一种基于表面势的IGZO TFT的紧凑模型的构建方法

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一种基于表面势的IGZO TFT的紧凑模型的构建方法
申请号:CN202510602279
申请日期:2025-05-12
公开号:CN120542339A
公开日期:2025-08-26
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种基于表面势的IGZO TFT的紧凑模型的构建方法,属于集成电路技术领域,解决了现有技术中IGZO TFT的紧凑模型与实际器件的性能差距较大的问题。所述构建方法包括:获取IGZO TFT的若干个训练样本,将若干个训练样本划分为训练集和测试集;其中,每个训练样本包括多个器件相关物理变量和表面势变量;分别利用训练集和测试集中的多个训练样本对晶体管源端表面势模型进行训练和测试,得到最终的表面势模型;提取最终的表面势模型的参数构建表面势方程;根据IGZO TFT的表面势方程确定IGZO TFT的紧凑模型。缩小了IGZO TFT的紧凑模型与实际器件的性能差距。
技术关键词
变量 泊松方程 物理 矩阵 参数 数值 集成电路技术 人工神经网络 电压 晶体管 局域 样本 栅极 氧化层 校正 电容 寿命 电子 频率
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