面向LLM推理芯片的NAND FLASH存内计算系统ECC保护力度优化方法

本发明公开面向LLM推理芯片的NAND FLASH存内计算系统ECC保护力度优化方法，属于计算、推算或计数的技术领域。基于NAND FLASH存内计算架构，本发明提出基于汉明码的自适应分平面保护策略，通过分析大语言模型权重数据的BF16数值分布特性，建立符号位、指数位及尾数位的错误敏感度分级模型；结合Transformer解码层的残差连接结构，计算层间余弦相似度以评估层重要性；采用贪婪算法动态调整汉明码保护粒度，根据模拟错误注入结果迭代优化，直至模型困惑度与精确度满足阈值。根据贪婪算法迭代结果进行ECC软硬件协同设计，得到NAND闪存各平面所需配置的ECC电路。本方法在保证模型推理精度的同时，显著降低电路面积功耗，并减少ECC带宽需求，显著提升大模型推理效率与可靠性。