基于神经网络与相场断裂法的SiC/SiC热解碳界面优化方法

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基于神经网络与相场断裂法的SiC/SiC热解碳界面优化方法
申请号:CN202510604388
申请日期:2025-05-12
公开号:CN120145875B
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种基于神经网络与相场断裂法的SiC/SiC热解碳界面优化方法,该方法包括:首先构建SiC纤维增强复合材料代表性体积单元模型;然后采取相场断裂法对SiC纤维增强复合材料代表性体积单元模型进行横向拉伸模拟,获得横向拉伸强度;最后以横向拉伸强度为判据对最优界面厚度进行筛选并训练逆向神经网络,实现对不同材料参数的SiC纤维最优界面厚度的预测与优化。本发明使用准确、高效的代表性体积单元模型,并将相场断裂法与逆向设计神经网络相结合,通过模拟裂纹行为并对不同半径、弹性模量、临界能量释放率以及强度的纤维的最优界面厚度进行预测,系统性地优化PyC界面参数,从而提升SiC/SiC复合材料的力学性能和可靠性。
技术关键词
界面优化方法 SiC复合材料 热解碳 纤维 泊松比 基体 强度 参数 Adam算法 微分方程求解器 神经网络训练集 横截面尺寸 Sigmoid函数 网格 相场模型 裂纹
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