一种封装结构及其制备方法

本发明实施方式公开了一种封装结构及其制备方法。该封装结构包括垂直堆叠设置的第一晶体管和第二晶体管；塑封件，包覆第一晶体管以及第二晶体管，形成塑封体；正面重布线层，设置于塑封体的第一表面；背面重布线层，设置于塑封体的第二表面；若干个贯穿塑封件的塑封导通孔，塑封导通孔用于将第一晶体管的电极和第二晶体管的电极连接至正面重布线层或背面重布线层；垂直贯穿塑封件的中介层，用于将背面重布线层所连接的电极连接至正面重布线层。通过上述方式，本发明实施方式能够提高V‑MOS封装的集成度，缩减封装体尺寸，降低导通阻抗、寄生电感和封装成本，提高芯片可靠性。