α放射源位移测量方法

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α放射源位移测量方法
申请号:CN202510622604
申请日期:2025-05-14
公开号:CN120445050A
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
α放射源位移测量方法,基于CMOS传感器输出的含有α响应信号的帧图像判断α放射源的位移;测量前提是α放射源产生的α粒子垂直入射CMOS传感器的感光面;方法如下:S01.图像分组及信号叠加;S02.计算所有信号点的形心;S03.对信号点进行密度聚类;S04.计算各个信号点的组合权重。本发明用于α放射源的位移测量,具有稳定性好,测量精度高(可识别α1放射源10um的位移量)的特点,能满足高精度测量场景的需求(例如工件表面α粒子污染区域的识别和定位)。
技术关键词
位移测量方法 CMOS传感器 放射源 信号 连通区域算法 图像 线性 芯片板 信息熵 遮光材料 射线屏蔽材料 电路板 密度聚类算法 集中度 SOC芯片 指标 PC机 壳体
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