摘要
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为基于双金属布拉格光栅和顶面HR反射膜的激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜,所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜。所述增益芯片右侧设置有金属布拉格光栅波导,所述增益芯片的右端面与所述金属布拉格光栅波导的左端面对准贴合形成外腔结构,所述金属布拉格光栅波导左端面镀设有第二增透AR膜,所述金属布拉格光栅波导右端面镀设有第三增透AR膜。对本发明提供的激光器进行性能测试,测试结果显示:线宽为0.6kHz,SMSR为63dB,阈值电流为22mA,验证了本发明的有效性。
技术关键词
布拉格光栅
光波导
芯片
半导体激光器技术
反射率
原子层沉积技术
磁控溅射沉积
量子阱结构
高反膜
衬底
粗糙度
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