一种SiC MOSFET器件的驱动电路及方法、驱动芯片

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一种SiC MOSFET器件的驱动电路及方法、驱动芯片
申请号:CN202510628852
申请日期:2025-05-16
公开号:CN120474529A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种SiC MOSFET器件的驱动电路及方法、驱动芯片,其中驱动电路包括开关信号分解模块、电平移位模块、多段式驱动模块,开关信号分解模块用于将输入信号分解为M个开通PWM信号和M个关断PWM信号;电平移位模块用于将M个开通PWM信号和M个关断PWM信号的电压和功率进行放大;多段式驱动模块用于基于放大后的M个开通PWM信号和M个关断PWM信号输出不同大小的驱动电流。本发明能在SiC MOSFET器件开通与关断过程的各个阶段提供不同大小的驱动电流与驱动电压,既保持了较快的开关速度,也限制了部分开关过程中器件dv/dt、di/dt的大小,抑制了开关过程的EMI与尖峰问题;能在降低尖峰水平的同时有效降低开关损耗与延时,缓解器件在高压高频应用下的开关应力问题。
技术关键词
SiCMOSFET器件 电平移位电路 信号 输入端 电压抬升电路 关断回路 模块 反相器 输出端 驱动芯片 驱动方法 开关 关断时刻 电流 级联
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