SiC外延片及其制备方法

本公开提供了一种SiC外延片及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低SiC外延片的缺陷密度，该SiC外延片包括：SiC衬底和设于SiC衬底一侧的外延层。外延层包括：相对设置的C面和Si面，C面和Si面中的任一者靠近SiC衬底，外延层的厚度范围为50μm~500μm，其中，外延层的缺陷密度范围为0.02/cm2~1/cm2。